ВОПРОСЫ К ЭКЗАМЕНУ ПО КУРСУ ФОМЭ ДЛЯ ГРУПП Р-51, РС-51 ( 2006 /2007 УЧЕБНЫЙ ГОД) 1. Корпускулярно-волновой дуализм. Принцип Гейзенберга. 2. Волновое уравнение Шредингера. 3. Туннельный эффект. 4. Энергетическая диаграмма электронов свободных атомов. 5. Обобществление электронов в кристалле. 6. Энергетический спектр электронов в кристалле. 7. Волновая функция электрона в кристалле. Зоны Бриллюэна. 8. Движение электронов в кристалле под действием внешней силы. Эффективная масса. 9. Образование и заполнение зон электронами. Деление твердых тел на металлы, диэлектрики, полупроводники. 10. Собственные полупроводники. Понятие о дырках. 11. Примесные полупроводники. 12. Статистический способ описания коллектива частиц. 13. Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике. Уровень Ферми. 14. Уровень Ферми и концентрация электронов и дырок в примесном полупроводнике. 15. Статистика электронов в металлах. 16. Распределение электронов по скоростям. Дрейф электронов в кристаллах. 17. Нормальные колебания решетки. Понятие о фононах. 18. Температурная зависимость подвижности носителей заряда в кристаллах. 18. Электропроводность собственных полупроводников. 19. Электропроводность примесных полупроводников. 20. Равновесное состояние p-n-перехода. 21. Прохождение тока через p-n-переход. 22. Прямое смещение p-n-перехода. 23. Обратное смещение p-n-рехода. 24. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода. Температурная зависимость. 25. Генерационная и рекомбинационная составляющие тока p-n-перехода. 26. Барьерная емкость p-n-перехода. 27. Диффузионная емкость p-n-перехода. 28. Переходные процессы в p-n-переходе. 29. Лавинный пробой p-n-перехода. 30. Туннельный пробой p-n-перехода. 31. Тепловой пробой p-n-перехода. 32. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. 33. Схемы включения биполярных транзисторов. 34. Входная характеристика биполярного транзистора по схеме ОБ. 35. Входная характеристика биполярного транзистора по схеме ОЭ. 36. Выходная характеристика биполярного транзистора по схеме ОБ. 37. Выходная характеристика биполярного транзистора по схеме ОЭ. 38. Зависимость коэффициента а от тока эмиттера. 39. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом. 40. Стоковые характеристики полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. 41. Стоко-затворная характеристика полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. 42. МДП - транзисторы.