Основы радиоэлектроники и связи
9. Функциональные преобразования сигналов в нелинейных электронных цепях : 9.1. Воздействие гармонического и квазигармонического сигнала на НЭ с кусочно-линейной ВАХ

9.1.8 Задачи   Задача 9.1 При умножении частоты используется транзистор, проходная характеристика которого аппроксимируется выражением Параметры транзистора: S=50 мА/В, U1=0,5 В. Приняв максимальное значение тока в импульсе Im равным 12,5 мА, определить положение рабочей точки U0 и амплитуду напряжения на базе Eб, при которых имеют место наилучшие условия для удвоения частоты. Задача 9.2 Схема детектора амплитудно-модулированных колебаний представлена на рис. 25. Внутреннее сопротивление диода R+=10 Ом. Сопротивление R=104 Ом. На входе действует напряжение В. Определить емкость С, обеспечивающую удовлетворительное сглаживание высокочастотной пульсации выходного напряжения и неискаженное воспроизведение модулирующего колебания. Определить амплитуду сигнала на выходе. Рис. 25 Задача 9.3 Кусочно-линейная аппроксимация проходной характеристики транзистора (рис 26) определяется параметрами: крутизна линейной части S = 400 мА/В, напряжение, соответствующее точке излома U1= 0.5 В. Вывести уравнение колебательной характеристики Iк1(E), где Iк1- амплитуда первой гармоники коллекторного тока; E – амплитуда гармонического напряжения на базе. Построить колебательные характеристики в диапазоне амплитуд 0< E < 0.4 В для двух положений рабочей точки (U0): 0.4 и 0.6 В. Рис. 26 Задача 9.4 На базу транзистора с вольт - амперной характеристикой, представленной на рис. 27 (при S = 50 мА/В и U1 = 0.5 В), подаётся высокочастотное напряжение с постоянной амплитудой и регулируемое напряжение смещения U0 . Найти зависимость амплитуды первой гармоники коллекторного тока Iк,1 от U0 (так называемую статическую модуляционную характеристику). Построить характеристики Iк,1(U0) для E = 0.4 В и Е = 0.2 В. Рис. 27

© Андреевская Т.М., РЭ, МГИЭМ, 2004