KVРC "Технологические процессы микроэлектроники Лекции - 72 часа, лабораторные работы - 18 часов» VI семестр. KУРC предусматривает формирование у студентов творческого подхода к технологии производства микроэлектронных изделий (МЭИ), предназначенных для создания современных радиоэлектронных средств. Наибольшее внимание уделено различным типам интегральных микросхем (ИМС), микропроцессорам (МП) и микросборкам (МСБ). Содержание курса 1.История развития электроники и возникновение микроэлектроники. Задачи микроэлектроники. Классификация МЭИ. Термины и определения. 2.Основные технологические процессы микроэлектроники. Особенности и структура производства МЭИ. 3.Элементы конструкций МЭИ. Подложки и пластины. Полупроводниковые элементы ИМС. 4.Тонкопленочные проводники» контактные площадки» резисторы и конденсаторы. Материалы. Корпуса микросхем. 5.Ориентация полупроводниковых монокристаллов. Механическая обработка слитков, пластин и подложек. 6.Эпитаксиальное наращивание полупроводниковых слоев и его разновидности. Оборудование. 7.Методы формирования защитных и диэлектрических покрытий. Технологическое оборудование. 8.Микролитография и ее применение. Фотолитография. Рентгенолитография, Электронная и ионно-лучевая литография. 9.Технология легирования п\п пластин и ее разновидности. Диффузанты. Оборудовани. 10.Термовакуумное осаждение. Влияние технологических факторовпроцесса на электрофизические параметры напыленных пленок. 11.Ионные методы осаждения пленок 12.Типовые технологические процессы производства п\п ИМС. Диодная изоляция элементов (стандартная и КИД-технология) 13.Диэлектрическая изоляция элементов. EPIC - процесс КВД -технология, декаль-метод, технология КНС. 14.Комбинированная изоляция элементов ИМС. Микросхемы на МДП структурах. 15.Технология изготовления плат тонкопленочных гибридных ИМС 16.Технология изготовления толстопленочных плат ИМС и ГИМС. 17.Особенности технологии плат гибридных БИС и МСБ. 18.Подгонка элементов. Монтаж и микроконтактирование. 19.Методы герметизации ИМС. 20.Основные положения технологической подготовки производства МЭИ. 21.Электронно-вакуумная гигиена и технологические среды. 22.Качество и надежность МЭИ. Основные характеристики. Надежность резистивных, емкостных и активных элементов, металлизации и контактов ИМС. 23.Автоматизация производства МЭИ: цель, задачи, пути решения. 24.Особенности технологии производства СВЧ ИМС и функциональных МЭИ Литература по курсу 1.Ю. С. Чернозубов, Технология производства МЭИ, М., МИЭМ, 1993. 2.КХ С. Чернозубов, Технологическое оснащение и средства контроля в производстве микросхем и микропроцессоров, М., МИЭМ, 1УУ^ 3.Л. А. Коледов, Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок, Мм Радио и связь, 1989. 4.О. Д. Парфёнов, Технология микросхем, М., Высшая школа