Электротехника и электроника

3. Биполярные транзисторы: 3.2. Характеристики и параметры биполярного транзистора

3.2.3. Схема с общим эмиттером

В схеме с общим эмиттером (рис.3.4,б) общим электродом является эмиттер. Входным током является ток базы i_Б , входным напряжением – напряжение u_БЭ , выходным током – ток коллектора i_К , выходным напряжением – напряжение u_КЭ . Входные ВАХ определяются при постоянном выходном напряжении:

,

выходные ВАХ при постоянном входном базовом токе:

.

Пример входных и выходных ВАХ для транзистора ОЭ приведен на рис.3.7.

Рис. 3.7

Они естественно отличаются от входных и выходных ВАХ транзистора ОБ. На входных ВАХ это отличие проявляется в том, что при увеличении выходного напряжения из-за эффекта модуляции базы характеристики сдвигаются вправо. Выходные ВАХ расположены в одном квадранте, в активном режиме идут с бóльшим наклоном, что означает меньшую величину дифференциального выходного сопротивления транзистора ОЭ по сравнению с ОБ.

Учитывая, что

и

,

имеем

.

Величина называется статическим коэффициентом передачи базового тока. Для малых изменений переменных вводится динамический коэффициент передачи базового тока

.

Так как несколько меньше 1 (0.9…0,995), то величина коэффициента базового тока значительно больше 1 (9…200).

В транзисторе ОЭ выполняются в соотношения:

где r_K^*- выходное дифференциальное сопротивление, - обратный ток транзистора ОЭ.
Область отсечки (ток базы равен нулю) характеризуется током . Область насыщения ограничивается линией насыщения при небольших значениях выходного напряжения.

Для нормальной работы транзистора должны выполняться условия:

,

где правые части характеризуют максимально допустимые значения соответствующих переменных.

Схема включения ОЭ применяется наиболее часто, так как здесь имеет место усиление как по току, так и по напряжению. Поэтому в справочниках обычно задаются параметры именно для этого типа включения транзистора.

© Андреевская Т.М. Кафедра РЭ, МИЭМ, 2005.