Электротехника и электроника

4. Полевые транзисторы: 4.3. Полевой транзистор с изолированным затвором

4.3.2. Полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом

Структура такого вида полевого МДП - или МОП - транзистора показана на рис. 4.9.

Рис. 4.9

При нулевом напряжении U_ЗИ = 0 канал между истоком и стоком отсутствует. Встречно направленные p–n – переходы препятствуют движению электронов от истока к стоку: канал отсутствует. При U_ЗИ > 0 возникающее под затвором электрическое поле будет отталкивать положительные заряды (дырки, являющиеся основными носителями в p–полупроводнике) в глубь полупроводника. При некотором пороговом значении напряжения между стоком и истоком под затвором накапливается достаточный слой электронов. Создается (индуцируется) проводящий канал, толщина которого может составлять 1...2 нанометра и она далее практически не меняется. Удельная проводимость канального слоя зависит от концентрации электронов в нем. Изменяя U_ЗИ , можно менять величину тока стока.

На принципиальных схемах полевой транзистор с индуцированным каналом в соответствии с типом проводимости канала обозначается в виде, показанном на рис.4.10.

Рис. 4.10

Вид ВАХ этого типа транзистора отличается от предыдущих тем, что ток возникает при положительных напряжениях u_ЗИ > U_{ЗИ, ПОР} , где U_{ЗИ, ПОР} - напряжение отпирания транзистора. Примерный вид стоковых и сток–затворных ВАХ транзистора с индуцированным каналом представлены на рис.4.11.

Рис. 4.11

Как видно из рис.4.11 все характеристики располагаются при положительных значениях напряжений.

© Андреевская Т.М. Кафедра РЭ, МИЭМ, 2005.