Электротехника и электроника
4. Полевые транзисторы: 4.5. Элементы памяти на основе принципа полевого транзистора
|
Электротехника и электроника |
|
4. Полевые транзисторы: 4.5. Элементы памяти на основе принципа полевого транзистора |
|
4.5.2. Приборы с зарядовой связью (ПЗС)ПЗС используются в быстродействующих запоминающих устройствах ЭВМ и в устройствах преобразования оптических сигналов в электрические. На рис. 4.15 показана структура ячейки ПЗС.
Рис. 4.15 Элементы памяти, основанные на принципе полевого транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом, имеют не один, а несколько изолированных друг от друга затворов, расположенных достаточно близко друг к другу. При отрицательном напряжении на k - ом затворе ( UЗИ,k < 0) под последним скапливаются дырки, являющиеся неосновными носителями в полупроводнике пластины, а также и дырки, инжектированные истоком (или возникающие в результате генерации пар электрон-дырка при поглощении оптического излучения). Эту совокупность дырок под затвором называют пакетом. При соответствующем изменении напряжений на затворах пакеты перемещаются от истоку к стоку, осуществляя последовательное считывание или параллельную запись информации. |
|
© Андреевская Т.М. Кафедра РЭ, МИЭМ, 2005. |
|
