Электротехника и электроника

2. Полупроводниковые диоды: 2.1. Характеристики и параметры.

2.1.1. Общие сведения

Полупроводниковым диодом называется электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним p-n-переходом и двумя невыпрямляющими контактами металл-полупроводник. В качестве полупроводникового материала используют германий, кремний, арсенид галлия. Условная структура (а) и общее обозначение (б) полупроводниковых диодов показаны на рис.2.1.

Рис. 2.1

На рисунке показаны направления прямых тока и напряжения. Большинство полупроводниковых диодов выполняют на основе несимметричных p-n-переходов. Низкоомную р –область называют эмиттером (или анодом по аналогии с электровакуумными диодами), высокоомную n –область – базой (или катодом). Прямое направление тока - от эмиттера к базе.

Различие в концентрации основных носителей заряда сказывается и на расположении p-n -перехода на границе. Ширина p-n-перехода в эмиттере меньше, чем в базе, т.е. p-n-переход почти целиком располагается в базе.

В зависимости от технологических процессов, использованных при изготовлении, различают точечные диоды, сплавные и микросплавные, диоды с диффузионной базой, эпитаксиальные, мезадиоды и др.

По функциональному назначению диоды делят на выпрямительные, универсальные, импульсные, смесительные, детекторные, модуляторные, переключающие, умножительные, стабилитроны, туннельные, параметрические, фотодиоды, светодиоды, диоды Ганна, диоды Шоттки и др.

© Андреевская Т.М. Кафедра РЭ, МИЭМ, 2005.