Электротехника и электроника
1. Основы полупроводниковой электроники. Контактные явления.
1.1. Полупроводниковые материалы.
1.1.1. Чистые полупроводники
1.1.2. Полупроводники n- и p - типа
1.2. Электронно - дырочный переход.
1.2.1. Электронно - дырочный переход без внешнего воздействия
1.2.2. Электронно - дырочный переход при внешнем воздействии
1.2.3. Пробой p-n-перехода
1.2.4. Емкость p-n-перехода
2. Полупроводниковые диоды.
2.1. Характеристики и параметры.
2.1.1. Общие сведения
2.1.2. Характеристики и параметры
2.2. Математические модели диода и их применение.
2.2.1. Идеальный диод
2.2.2. Кусочно - линейная модель диода
2.2.3. Полная схема замещения диода
2.2.4. Полиномиальная аппроксимация участка ВАХ диода
2.3. Виды и система обозначений современных полупроводниковых диодов.
2.3.1. Виды и обозначение диодов
2.3.2. Система обозначений современных полупроводниковых диодов
3. Биполярные транзисторы.
3.1. Устройство и основные процессы
3.1.1. Устройство биполярного транзистора
3.1.2. Режимы работы биполярного транзистора и основные физические процессы
3.2. Характеристики и параметры биполярного транзистора
3.2.1. Способы включения биполярного транзистора
3.2.2. Схема с общей базой
3.2.3. Схема с общим эмиттером
3.2.4. Схема с общим коллектором
3.2.5. Инверсное включение транзистора
3.3. Математические модели биполярного транзистора
3.3.1. Модели Эберса-Молла
3.3.2. Физическиие малосигнальные модели биполярных транзисторов
3.3.3. Малосигнальные модели биполярного транзистора в виде активного линейного четырехполюсника
3.4. Система обозначений транзисторов
4. Полевые тразисторы.
4.1. Общие определения
4.2. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом
4.2.1. Принцип действия, обозначение
4.2.2. Вольтамперные характеристики
4.3. Полевой транзистор с изолированным затвором
4.3.1. Полевой транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом
4.3.2. Полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом
4.4. Параметры и модели полевых транзисторов
4.4.1. Параметры
4.4.2. Математические модели транзистора с общим истоком
4.5. Элементы памяти на основе принципа полевого транзистора
4.5.1. Ячейка памяти
4.5.2. Приборы с зарядовой связью (ПЗС)
5. Полупроводниковые оптоэлектронные приборы.
5.1.Общие сведения
5.2. Полупроводниковые источники света
5.2.1. Светоизлучающий диод
5.2.2. Лазеры
5.2.3. Приемники излучения
5.2.4. Оптопара (оптрон)
5.3. Применения оптоэлектронных приборов.
5.3.1. Оптический локатор.
5.3.2. Светодальномер
5.3.3. Оптическая линия связи.
© Андреевская Т.М. Кафедра РЭ, МИЭМ, 2005.
