$Математика$	Электротехника и электроника
4. Полевые транзисторы: 4.3. Полевой транзистор с изолированным затвором

4.3.1. Полевой транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом

В полевых транзисторах с изолированным затвором последний отделен от полупроводника диэлектриком. Структура такого транзистора показана на рис.4.6.

Рис. 4.6

Здесь, кроме электродов исток, сток и затвор, имеется еще один электрод (так называемый «подложка»), напряжение на котором также может менять свойства транзистора.

Если напряжение на затворе относительно истока отрицательно, то имеет место явление обеднения канала (уменьшение числа носителей заряда): в данном случае электроны выталкиваются из канала в p - область, что приводит к уменьшению тока через канал; при положительном же напряжении затвор-исток наоборот имеет место обогащение канала электронами, пришедших в канал из областей p и n⁺, что приводит к увеличению тока через канал. Таким образом этот полевой транзистор может работать и при положительных и при отрицательных значениях напряжения затвор-исток. При этом ток через затвор не протекает, так затвор изолирован от канала.

На принципиальных схемах полевой транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом в соответствии с типом проводимости канала обозначается в виде, показанном на рис.4.7

Рис. 4.7

Примерный вид семейств выходных ВАХ данного транзистора изображен на рис.4.8,а; передаточные свойства транзистора показаны на рис. 4.8,б в виде сток–затворной характеристики. Здесь также режим отсечки характеризуется некоторым отрицательным значением U_{ЗИ, ОТС.}

Рис. 4.8

Эти характеристики справедливы для случая, когда электрод подложки соединен с истоком. Если этот электрод используется для управления током стока, то тогда его называют «нижним затвором», причем механизм этого управления аналогичен управлению самого затвора.