Электротехника и электроника

2. Полупроводниковые диоды: 2.2. Математические модели диода и их применение.

2.2.3. Полная схема замещения диода

Для оценки частотных свойств диода следуeт учитывать общую емкость диода С_Д, являющуюся суммой барьерной и диффузионной емкостей, а также сопротивления контактов. На рис. 2.11 приведена такая модель.

Рис. 2.11

Здесь R_Д – нелинейное сопротивление перехода, С_бар – и С_диф - нелинейные барьерная и диффузионная емкости перехода, R – сопротивления контактов. Наличие сопротивлений контактов сказывается на виде ВАХ в области прямых напряжений: характеристика располагается ниже прямой ветви ВАХ идеального p-n-перехода.

© Андреевская Т.М. Кафедра РЭ, МИЭМ, 2005.